【新新聞】記憶體漲漲漲》稀缺性的雙面刃—DDR4復活、NAND容量型逆襲

記憶體三巨頭:美光、三星電子和SK海力士半導體。(資料照,美聯社)

記憶體三巨頭:美光、三星電子和SK海力士半導體。(資料照,美聯社)

在AI超級循環中,最令人意外的現象,莫過於原本應被時代淘汰的DDR4,其報價卻比新世代的DDR5更為強勢,享有「結構性溢價」。這源於HBM對DRAM供應鏈的無情「階層性排擠」效應。

DRAM三大廠(三星、SK海力士、美光)已將先進製程產能全力轉向利潤高達數十倍的HBM3E和HBM4。由於HBM的製程複雜度高、晶片尺寸大,且生產周期長達兩個季度以上,導致原廠不得不將傳統DDR系列產品的產能永久性移除或大幅縮減。

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